QUBIG諧振型電光相位調(diào)制器

一，諧振型電光調(diào)制器簡介

諧振型電光調(diào)制器（R-EOM）依托山西大學量子光學與光量子器件重點實驗室科研技術進行成果轉化。在抑制相位調(diào)制中剩余振幅調(diào)制技術基礎上，自主研發(fā)了諧振型電光相位調(diào)制器，可以有效降低半波電壓、提高調(diào)制深度以及抑制相位調(diào)制中剩余振幅調(diào)制，提高系統(tǒng)鎖定穩(wěn)定性等（該研究成果被德國Qubig公司在其上引用）。該調(diào)制器廣泛應用于量子信息、激光物理、冷原子物理、原子鐘、時頻傳輸?shù)阮I域。

 圖1 德國Qubig公司引用山西大學研究成果

  二，QUBIG諧振型電光相位調(diào)制器性能參數(shù)

                                                1)室溫24.5℃下測試數(shù)據(jù)

三，諧振型電光相位調(diào)制器典型外觀尺寸

圖2 典型外觀尺寸

備注：上圖為典型外觀尺寸，可定制外觀尺寸、螺紋大小、位置及溫控套件，溫控套件需另配。

四，測試方法及結果：zz1 諧振頻率測量方法及典型結果

R-EOM諧振性能測試裝置圖如圖3所示。將R-EOM的輸入端接入網(wǎng)絡阻抗分析儀，測量R-EOM對驅(qū)動信號反射特性。

實驗結果如圖4所示，其中驅(qū)動反射率在5 MHz/ 10 MHz/ 20.0 MHz處達到很低，佳諧振頻率即為5 MHz/ 10 MHz/ 20.0 MHz，此時能量轉化達到佳。由于實際使用信號源內(nèi)部時鐘不同，可在設定頻點附近尋找實際佳調(diào)制頻率。

圖3 R-EOM調(diào)制器諧振性能測試裝置圖

2.調(diào)制深度測試方法及典型結果

調(diào)制深度隨驅(qū)動電壓測試裝置圖，如圖5所示。特定線偏振激光經(jīng)過R-EOM調(diào)制后，入射到一個光學腔中，利用Keysight 33600A或其他信號源為R-EOM提供驅(qū)動，通過PD探測腔透射信號主模式及以及邊帶模式大小及比例，根據(jù)貝塞爾函數(shù)計算調(diào)制深度。需要說明的是，在同等情況下，激光波長越短調(diào)制深度越高，我們是采用852 nm激光進行測試，如用633 nm，則所需驅(qū)動更低。

Pro版本R-EOM的調(diào)制深度測試結果如下圖所示，諧振頻率為5.0 MHz的R-EOM達到調(diào)制深度1.435時所需2.15 Vp驅(qū)動

五， 激光偏振要求

基于單端楔角晶體的調(diào)制器，其激光入射方向及偏振要求如圖8所示，SMA接頭朝上，面朝logo，則激光從左端入射，出射光向右前方偏折，此時入射激光偏振方向為水平線偏振光（P偏振/H偏振）；若logo面朝上放置，出射激光向上偏折，此時入射激光需為垂直線偏振激光（S偏振/V偏振）。

基于雙端平行晶體的調(diào)制器，對激光入射方向無要求，但入射激光偏振同楔角晶體調(diào)制器一致。

圖8 基于單端楔角晶體調(diào)制器的激光入射方向及偏振要求

六，不同諧振頻率下達到1rad調(diào)制深度所需驅(qū)動電壓（852nm激光測試）

                PS：50Ω阻抗測試電壓峰值